國產IGBT，迎來大豐收_XYS:IPM

根據IGBT的產品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。IGBT分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產品；而IGBT模塊應用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領域。

根據工作環境的電壓不同，IGBT可以分為低壓、中壓、高壓。一般低壓IGBT常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領域；中壓IGBT常用于工業控制、新能源汽車等領域；高壓IGBT常用于軌道交通、電網等領域。

就目前的中國市場來說，IGBT應用最多的場景是新能源汽車。

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國外廠商優勢明顯

從全球市占率角度來看，依舊是國外廠商占據主要市場份額。

根據Omdia數據顯示，2020年全球IGBT龍頭企業包括英飛凌、富士電機、三菱等。從細分領域來看，在IGBT分立器件領域，英飛凌、富士電機、三菱的市場規模位列前三，市占率分別為29.3%、15.6%和9.3%。中國廠商士蘭微排名第十，占有全球2.62%市場份額。

在IPM模塊領域，三菱市占32.9%；安森美市占17.1%；英飛凌市占11.6%，國產廠商士蘭微以1.6%的市占率排名第九，華微電子以0.9%的市占率排名第十。

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在IGBT模塊領域，英飛凌為絕對龍頭，市場份額占36.5%，其次是富士電機和三菱，分別占比11.4%和9.7%。國內斯達半導排名第六，市場份額占2.8%。

如今國外的IGBT龍頭已經形成完善的IGBT產品系列，英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業IGBT領域占絕對優勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術領域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術方面，英飛凌與三菱公司處于國際領先水平；在1700V以下的產品應用中，英飛凌、賽米控、安森美技術領先、產品成熟。

國內IGBT廠商多集中在中低壓市場，如比亞迪半導體、士蘭微、揚杰科技、新潔能、華微電子等廠商的IGBT產品主要集中在1500V以下的IGBT市場；時代電氣和斯達半導已經有高壓3300V及以上的產品應用。

國內廠商和國外廠商存在差距的原因主要是國外廠商成立時間早，比如富士電機成立于1923年，三菱電機成立于1921年，而國內的幾大廠商主要集中在1997—2005年。得益于長時間的磨煉，技術領先、產品成熟、市場占比大、利潤高、用戶反饋豐富的國際大廠，明顯已具先發優勢。

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不過，隨著中美貿易摩擦的不斷加劇，國內終端們開始主動嘗試選擇國內芯片，疊加近兩年IGBT缺貨情況嚴重，為IGBT在內的國產芯片的發展打開了切口。

02

國內IGBT不乏佼佼者

在中國的IGBT行業發展中，各大廠商分路追擊，如今已不乏佼佼者的出現，比如：斯達半導、時代電氣以及士蘭微等。

斯達半導

斯達半導優勢在于IGBT模塊，主要覆蓋新能源汽車和工控領域。

2013年斯達半導開始專注新能源汽車IGBT模塊的研發，目前其IGBT電壓等級涵蓋范圍為100V～3300V，率先實現第7代IGBT產品的研發。另外，斯達半導的SiC模塊研發進程也早于國內其他廠商。

斯達半導產品種類豐富，能有效全面地覆蓋下游客戶的各類需求，其IGBT模塊產品超過600種，其第六代TrenchFieldStop技術的車規級IGBT模塊已獲得多個平臺/項目定點，SiC模塊也已獲得多款車型定點，先發優勢明顯。

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目前斯達半導采用Fabless模式，代工廠為上海華虹、上海先進等。同時也在自建晶圓廠，由Fabless走向IDM。

時代電氣

時代電氣在IGBT的布局是比較特殊的，其IGBT器件在城市軌道交通、高速鐵路以及電力機車方面具有廣泛應用。

時代電氣的IGBT模塊在市場中位居第二位，僅次于斯達半導。其IGBT產品已實現750V—6500V全電壓覆蓋，在國內IGBT供應商中電壓覆蓋范圍最廣，也是國內唯一實現3300V以上軌交、電網等高壓領域覆蓋的公司。目前，時代電氣第七代IGBT技術剛剛研發成功。

2021年時代電氣IGBT在軌交、電網領域市占率全國第一，除了原有的優勢領域軌道交通外，時代電氣正在主攻汽車和光伏方向，汽車方面公司已取得合眾、一汽、長安等十余家客戶定點，風光發電領域公司高壓1700V產品已非常成熟。

袁國寶：區塊鏈等技術是促進我國產業邁向全球高端的必然選擇:NewMedia新媒體聯盟創始人、移動互聯網時代的趨勢觀察家袁國寶就在自己出版的新作《新基建：數字經濟重構經濟增長新格局》中對于新基建的發展趨勢、未來的走向進行了系統全面的分析。

他在書中強調，新一輪工業革命與產業革命正在孕育興起，以大數據、云計算、物聯網、區塊鏈、人工智能為代表的新一代信息技術紛紛邁向產業化應用階段，打造一套完善的數字化基礎設施成為構建現代化經濟體系，促進我國產業邁向全球化價值鏈中高端的必然選擇。（新浪財經）[2020/6/2]

時代電氣也是采用IGBT與SiC雙線布局的戰略，只不過在SiC模塊的入局時間較晚，2022年其首款SiC產品才進行小批量驗證。

士蘭微

士蘭微的產品以IGBT單管和IPM模塊為主，在白電和工控領域具備顯著市場地位。此外其車規IGBT產品通過部分汽車廠商測試，開始小批量供貨；光伏IGBT單管已在國內部分光伏客戶逐步上量。根據Omdia數據顯示，2021年士蘭微IPM產品全球市占率達到2.2%，排名全球第八，國內第一。士蘭微已經推出了英飛凌的第7代產品，目前還處在送審階段，離量產還有距離。2021年士蘭微的車規級SiC模塊研發成功。

金色沙龍丨David Lei：國產公鏈在技術標準的爭奪上還有很長的路要走:在本期金色沙龍上，The Force Protocol&ForTube聯合創始人David Lei發言指出：從目前公鏈的領域整體發展情況來看：仍是國外的公鏈市場，代表了整個公鏈領域發展的主流。國內的公鏈項目放到國際市場上還是遠遠不夠的。

從我個人的觀察來講，中國的公鏈領域，在應用上面比較有優勢，探索會比較快。國外在跨鏈，還有技術底層上面比較有特色。整體而言，中國國產的公鏈，在技術標準的爭奪上還有很長的路要走。[2020/3/18]

除了以上提到的這些公司，還有諸如華微電子、揚杰科技、比亞迪半導體、宏微科技、中科君芯、新潔能等廠商在IGBT各個領域逐步放量。

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IGBT更受追捧，缺貨難解

IGBT是近期半導體組件中，唯一還能大漲價且一路供不應求的品項。

導致IGBT缺貨、漲價的原因主要有四點：其一，需求旺盛，車用、工業應用所需IGBT用量大增；其二，供給不足，產能擴增緩慢；其三，風光儲需求旺盛帶動IGBT需求強勁；其四，特斯拉大砍75%碳化硅用量，IGBT為潛在替代方案。

根據市場消息，6月安森美的IGBT供應短缺，交期仍在40周以上，無明顯緩解。根據富昌電子公布的《2023Q1芯片市場行情報告》數據顯示，意法半導體、英飛凌、Microsemi、IXYS的IGBT交期與2022Q4的交期一致，最長達54周。工業、車用領域的IGBT需求仍然緊俏。有業內人士表示，IGBT缺貨問題至少在2024年中前難以解決；部分廠商IGBT產線代工價上漲10%。

現階段全球產能緊缺，IGBT市場面臨短期內供不應求的狀態，這為國產企業提供了機遇。如今，本土IGBT產品性能已經逐漸成熟，且部分產品性能可對標海外IGBT大廠產品，加速國產化IGBT產品市場滲透，逐步切入高端市場。國內一眾廠商如揚杰科技、斯達半導、士蘭微、新潔能、紫光國微等也在加快擴產和研發步伐。

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國產廠商迎來大豐收

IGBT的持續火熱，國產廠商迎來的不只是訂單的大豐收，還有業績的大豐收。

首先在訂單量方面，近日時代電氣披露調研紀要顯示，IGBT器件已有產能基本跑滿，第一季度合計IGBT有7.23億。傳感器件、功率器件、新能源汽車電驅是一個量綱訂單，目前產能排得很緊，達產率非常高。公司在去年第三季度就基本把今年IGBT產能排滿了。

斯達半導也表示光伏領域在手訂單是現有產能的數倍之多。士蘭微、華潤微、宏微科技都表示在手訂單量飽滿，產能供不應求。

其次，再看業績。2022年時代電氣全年營收180.34億元，同比增長19.26%。2023年Q1，時代電氣營業收入人民幣30.85億元，同比增長21.25%，漲勢喜人。

斯達半導體更是連續7年實現營收、凈利潤雙增。尤其是2022年其營業收入27.05億元，同比增長58.53%，歸屬于上市公司股東的凈利潤8.18億元，同比增長105.24%。

此外，士蘭微、揚杰科技、宏微科技等公司的營業收入都在2022年實現大幅增長。

05

國產IGBT產能何時落地？

2021年，斯達半導定增獲得發審委通過，將募資35億元用于IGBT芯片、SiC芯片的研發及生產。預計將會達成6英寸IGBT產能30萬片/年，6英寸SiC芯片產能6萬片/年，具體投產時間未知。

2022年10月，時代電氣啟動了IGBT三期新產線建設準備工作，公司此前已投資建設了一期、二期產線。三期總投資額111億元，其中宜興項目投資58億元、株洲項目53億元。宜興項目，一期規劃產能是年產36萬片8英寸IGBT，產品主要用于新能源車領域。株洲項目，建成后產能年產36萬片8英寸IGBT，主要用于新能源發電、工控、家電。三期項目建設周期24個月，預計2024年6-7月才會投產。

2022年6月，士蘭微投資建設“年產720萬塊汽車級功率模塊封裝項目”該項目總投資30億元。隨后在10月，又定增不超過65億元，用于年產36萬片12英寸芯片生產線項目、SiC功率器件生產線建設項目、汽車半導體封裝項目等。此次的定增項目建設期為3年，也就是預計2025年投產。

華潤微的IGBT產能也會在今年有所新增。華潤微高管此前預計，2023年資本性開支較2022年將增加至百億規模，主要涉及重慶12英寸、深圳12英寸、先進功率封測基地以及公司對外投資并購項目。根據規劃，華潤微6英寸晶圓制造生產線主要增加第三代半導體產能包括碳化硅和氮化鎵；今年8英寸晶圓制造生產線通過技改、IGBT等重點產品產能擴充會帶來一定幅度的產能增加；重慶12英寸2023年底目標是爬坡至2萬片。

有分析指出，2021年及以前，中國有80%—90%的IGBT產品均需要進口，2022年整體IGBT國產化率提升至約30%—35%，車規級IGBT廠商在中國的市場份額已經從2021年的32%提升到2022年的45%—50%。

未來，隨著IGBT市場的不斷擴大以及國產IGBT企業技術上取得突破，中國IGBT正在駛上發展的快車道。

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